یک اختراع دیگر از محققان دانشگاه سمنان در حوزه برق به ثبت رسید

۱۸ خرداد ۱۳۹۵ | ۱۳:۳۸ کد : ۱۶۹۹۰ دستاوردهای دانشگاه ها
تعداد بازدید:۱۰۷۱
«ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره ای در زیر کانال» توسط محققان دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان با همکاری پارک علم و فناوری این دانشگاه ثبت اختراع شد. ب...
«ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره ای در زیر کانال» توسط محققان دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان با همکاری پارک علم و فناوری این دانشگاه ثبت اختراع شد.
به گزارش روابط عمومی وزارت علوم، داود معروفی مسئول مرکز مالکیت فکری پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان با اعلام این خبر گفت: «ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره ای در زیر کانال» توسط دکتر علی اصغر اروجی عضو هیئت علمی دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان، زینب رمضانی دانشجوی دکتری این رشته و پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان در اداره کل مالکیت صنعتی و ثبت اختراع به شماره 88270 به ثبت رسید.
دکتر اروجی در توضیح این اختراع گفت: در این اختراع یک ترانزیستور با استفاده از ایجاد یک چاه از جنس سیلیسیم ژرمانیوم نوع P (P-SiGe) در اکسید مدفون ارائه شده است.
وی افزود : هم چنین با استفاده از ویژگی ترکیبی ماده سیلیسیم و سیلیسیم ژرمانیوم معایب این گونه ترانزیستورها از جمله اثر خودگرما، ولتاژ شکست پایین و اثر بدنه شناور به طور همزمان بهبود داده شده است.
دکتر اروجی تصریح کرد: این ساختار برای اولین بار است که روی ترانزیستور اثر میدانی فلز- نیمه هادی با تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق ارائه شده است و با توجه به مراحل ساخت ساده و مزایایی آن می تواند به عنوان جایگزین مناسب برای ساخت این گونه ترانزیستور ها در تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق پیشنهاد شود.
وی خاطر نشان کرد : از این اختراع می توان در کاربردهای توان بالا و انواع مدارات دیجیتال و آنالوگ مختلف استفاده کرد.